深圳大力支持企业开展车规级认证，补贴最高达100万元

为贯彻落实《深圳市人民政府关于发展壮大战略性新兴产业集群和培育发展未来产业的意见》《关于加快发展新质生产力进一步推进战略性新兴产业集群和未来产业高质量发展的实施方案》及“20+8”产业集群相关领域政策，加快培育发展战略性新兴产业集群，深圳市发展和改革委员会现发布2025年第二批战略性新兴产业专项资金项目申报指南。

产业化扶持计划——高端芯片产品突破
扶持方向：面向新能源汽车万亿级市场，支持14纳米及以下车规级高阶智驾AI芯片、智能座舱SoC芯片、域控制器MCU、中央域控SoC/MPU芯片的国产替代。
扶持方式及资助金额：事后一次性资助。支持企业开展AEC-Q系列可靠性标准认证、ISO 26262功能安全管理体系认证、AQG 324车规级半导体模块认证、ISO/TS 16949体系认证等车规级认证，对取得相关认证资质的企业，通过专家评审后，按照认证实际发生费用的50%给予资助，单一企业年度资助金额不超过100万元。

产业化扶持计划——兆瓦级充电桩、V2G充电桩和模块产业化
扶持方向：支持兆瓦级（单车充电功率≥1兆瓦，下同）充电桩的虚拟电厂关键设备规模化量产。支持V2G充电桩、V2G模块的车网互动相关核心设备产业化。
扶持方式及资助金额：事后一次性资助。通过专家评审、现场核查的项目，市发展改革部门予以批复立项，项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，按经专项审计核定项目总投资的30%给予事后资助，最高不超过1500万元。为激发创新活力，项目单位原则上应独立申报。

新技术新产品示范应用推广扶持计划——车网互动V2G充电桩应用
扶持方向：支持新建具备车网互动V2G功能的充电桩。
指标要求：申报项目的放电总功率原则上不低于200千瓦，2025年放电量不低于5万千瓦时；项目实际放电总功率及放电量需经虚拟电厂管理中心或电力充储放一张网平台确认；设施运营类企业参与申报，需取得项目业主单位的申报同意书，同一场站不得多头申报。
扶持方式及资助金额：专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查的项目，市发展改革部门予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，对于满足指标要求、具备V2G功能且正常运营的充电设施，按经专项审计核定项目总投资的30%给予事后资助，最高不超过500万元。为激发创新活力，项目单位原则上应独立申报。

深圳市发展和改革委员会2025年第二批战略性新兴产业专项资金项目申报指南（新能源领域）

支持产业化事后补助、新技术新产品示范应用推广两类扶持计划。其中，产业化事后补助支持兆瓦级充电桩等虚拟电厂关键设备规模化量产和V2G充电桩、V2G模块等车网互动相关核心设备产业化；新技术新产品示范应用推广支持基于特色场景的先进车网互动V2G充放电桩应用、基于融合发展场景的储能示范应用。

一、产业化扶持计划

（一）兆瓦级充电桩、V2G充电桩和模块产业化
1.政策依据
《深圳市支持虚拟电厂加快发展的若干措施》（深发改规〔2024〕4号）第二条。
2.扶持方向
（1）支持兆瓦级（单车充电功率≥1兆瓦，下同）充电桩的虚拟电厂关键设备规模化量产。
（2）支持V2G充电桩、V2G模块的车网互动相关核心设备产业化。
3.扶持方式及资助金额
事后一次性资助。通过专家评审、现场核查的项目，市发展改革部门予以批复立项，项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，按经专项审计核定项目总投资的30%给予事后资助，最高不超过1500万元。为激发创新活力，项目单位原则上应独立申报。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目采用的自主技术成果(包括自主知识产权、消化吸收创新、国内外联合开发的技术等)应具有先进性和良好的推广应用价值，拥有有关成果鉴定、权威机构出具的认证、技术检测报告等证明材料或相关认证和生产许可，知识产权归属明晰。
（3）项目单位有较强的技术开发、资金筹措、项目实施能力，以及较好的资信等级，资产负债率在合理范围内，经营管理状况良好，具有开展相关项目产业化的生产、经营资格和实施条件。
（4）项目总投资不低于1500万元，应有新增固定资产投资（土建工程、新购置设备等）。建设投资不低于总投资的40％、研发费用不超过项目总投资50%、铺底流动资金不超过项目总投资10%。

二、新技术新产品示范应用推广扶持计划

（一）车网互动V2G充电桩应用
1.政策依据
《深圳市支持虚拟电厂加快发展的若干措施》（深发改规〔2024〕4号）第五条。
2.扶持方向
支持新建具备车网互动V2G功能的充电桩。
指标要求:申报项目的放电总功率原则上不低于200千瓦，2025年放电量不低于5万千瓦时；项目实际放电总功率及放电量需经虚拟电厂管理中心或电力充储放一张网平台确认；设施运营类企业参与申报，需取得项目业主单位的申报同意书，同一场站不得多头申报。
3.扶持方式及资助金额
专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查的项目，市发展改革部门予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，对于满足指标要求、具备V2G功能且正常运营的充电设施，按经专项审计核定项目总投资的30%给予事后资助，最高不超过500万元。为激发创新活力，项目单位原则上应独立申报。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有较强的项目实施能力，经营管理状况良好。事业单位、社会团体和民办非企业应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备。
（3）项目建设投资不低于总投资的70％、研发费用不超过项目总投资20%、铺底流动资金不超过项目总投资10%，具体以项目实际完成情况为准。
（4）项目建设投资仅包括具备V2G功能充电设施的安装工程和设备购置费用，不包括配套场站土建、变压器、储能、车辆等投资。研发费用不包括科研材料及事务费、差旅费、会议费、国际合作与交流费。
（5）项目总投资不低于300万元，具备较好的市场潜力。
（6）涉及多个V2G场站的，同一申报主体原则上应打包申报。
（二）基于交能融合发展场景的储能示范应用
1.政策依据
《深圳市支持电化学储能产业加快发展的若干措施》（深发改〔2023〕82号）第十三条。
2.扶持方向
基于交能融合发展场景的储能示范应用。为加快推进“超充之城2.0”建设和用户侧储能多元化发展，对新建重卡超充站、重卡换电站、乘用车闪充站，且配套新建储能项目（如锂电、钠电等）的，给予资金支持。申报项目可选择重卡超充站、重卡换电站、乘用车闪充站场景中任意1-3个场景。
指标要求:申报项目的总充电功率原则上不低于5兆瓦（重卡换电不受此限制），新建场站数不少于2座。项目建设期内（自立项至通过验收，最迟不晚于2026年12月31日）总充（换）电量不低于50万千瓦时，仅兆瓦级充电桩（单车充电功率≥1兆瓦，下同）、换电站（可非兆瓦级）充电功率、充（换）电量计入项目总充电功率、总充（换）电量，快充桩、慢充桩不计入总充电功率、总充（换）电量。项目实际充（换）总功率及充（换）电量需经虚拟电厂管理中心或电力充储放一张网平台书面确认；设施运营类企业参与申报，需取得项目业主单位的申报同意书，同一场站原则上不得多头申报。
3.扶持方式及资助金额
专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查的项目，市发展改革部门予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，对于满足指标要求且正常运营的充（换）电站，按经专项审计核定项目总投资的30%给予事后资助，最高不超过1000万元且不超过兆瓦充电桩、换电站（均可计入必要规模的配套储能）的设备购置费用。为激发创新活力，项目单位原则上应独立申报。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有较强的项目实施能力，经营管理状况良好。事业单位、社会团体和民办非企业应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备。
（3）项目建设投资不低于总投资的70％、研发费用不超过项目总投资20%、铺底流动资金不超过项目总投资10%，具体以项目实际完成情况为准。项目建设投资包括重卡超充站、重卡换电站、乘用车闪充站的建筑工程、安装工程、场地改造和设备购置费用。研发费用不包括科研材料及事务费、差旅费、会议费、国际合作与交流费。
（4）项目总投资不低于400万元，具备较好的市场潜力。
（5）涉及多个场站的，同一申报主体原则上应打包申报。
（6）重卡超充站、重卡换电站须具备为重卡补能的能力。
（7）项目须于2026年12月31日前建成。每个申报场站均须配置一定规模储能。

深圳市发展和改革委员会2025年第二批战略性新兴产业专项资金项目申报指南（半导体与集成电路领域）

本次专项资金扶持涵盖集成电路设计流片、产业化、创新能力建设、国家项目配套四类扶持计划。其中，集成电路设计流片扶持计划包括集成电路流片、国产EDA工具推广应用两大方向；产业化扶持计划聚焦高端芯片产品突破、核心设备及配套零部件突破、关键制造封装材料突破、高端封装测试水平提升、化合物半导体技术水平提升、尖端前沿技术突破等重点领域；创新能力建设扶持计划重点支持建设半导体与集成电路领域产业创新中心、IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台等产业支撑平台；国家项目配套扶持计划，对承担国家发展改革委集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划及重点研发计划的单位给予配套支持。

一、集成电路设计流片扶持计划

（一）集成电路流片
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第二条。
2.扶持方向
支持多项目晶圆（MPW）流片、全掩模工程产品流片。
3.扶持方式及资助金额
（1）对于参与晶圆制造厂多项目晶圆（MPW）流片的企业、高校和科研院所，通过专家评审后，按照流片直接费用的30%给予资助，同一单位年度总资助额不超过300万元。
（2）对于首次完成全掩模工程产品流片（包括自组多项目晶圆流片）的企业、高校和科研院所，且工艺制程在28纳米及以下的，通过专家评审后，按照流片直接费用的30%给予资助，同一单位年度总资助额不超过1000万元。
以上项目采取事后一次性资助方式。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。流片产品应由申报单位自主研发设计。
（3）实际支出费用计算时间为2025年1月1日以后，以发票日期为准。
5.申报材料
（1）资金申请报告。
（2）多项目晶圆（MPW）流片、全掩模工程产品流片相关费用支出明细、与相关企业签订的合同、财务凭证、发票等。
（3）多项目晶圆（MPW）流片、全掩模工程产品流片产品的情况说明（产品主要功能及用途、技术指标及先进性、与单位其他相关产品的差异说明、已取得集成电路布图设计登记证书或发明专利授权情况等。对于申报全掩模工程产品流片资助的，还需提供该产品为首次流片的证明材料）。
（二）国产EDA工具推广应用
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第三条。
2.扶持方向
支持模拟、数字、制造、封测等集成电路EDA工具软件国产化。
3.扶持方式及资助金额
（1）对购买国内企业研发的EDA工具并开展28纳米及以下芯片研发制造的企业，通过专家评审后，按照购买该EDA工具实际发生费用的20%给予一次性资助，单个企业年度资助金额不超过200万元。
（2）对购买国内企业研发的EDA工具并开展14纳米及以下芯片研发制造的企业，通过专家评审后，按照购买该EDA工具实际发生费用的30%给予一次性资助，单个企业年度资助金额不超过300万元。
（3）对购买国内企业研发的EDA工具并开展7纳米及以下芯片研发制造的企业，通过专家评审后，按照购买该EDA工具实际发生费用的50%给予一次性资助，单个企业年度资助金额不超过500万元。
以上项目采取事后一次性资助方式。对于同时申报两项及以上不同制程EDA工具资助的企业，年度资助金额上限可累加。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
（3）所购EDA工具应当用于有关芯片设计或制造，EDA工具购置时间在2024年1月1日以后，且流片时间在2025年1月1日以后，以交割单为准。
5.申报材料
（1）资金申请报告。
（2）项目流片的检测报告。
（3）国内企业研发的EDA工具有关证明材料。
（4）EDA工具购置明细、采购合同、财务凭证、发票等。

二、产业化扶持计划

（一）高端芯片产品突破
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第一条。
2.扶持方向
（1）面向AI大模型场景需求，支持突破数据中心CPU、GPU、DSP、FPGA、ASIC等专用芯片，400G以上带宽DPU、100G以上激光器芯片、新型光电融合芯片等互联芯片，以及高性能高能效存储芯片。
（2）面向AI手机、AI眼镜、智能机器人等各类AI终端需求，研发高性能、高能效专用SoC主控芯片，支持存算一体、存内计算等新型架构处理器。
（3）面向新能源汽车万亿级市场，支持14纳米及以下车规级高阶智驾AI芯片、智能座舱SoC芯片、域控制器MCU、中央域控SoC/MPU芯片的国产替代。
3.扶持方式及资助金额
（1）对购买IP开展28纳米及以下制程高端芯片研发的企业，通过专家评审后，按照IP购买实际支付费用的20%给予资助，单一企业年度资助金额不超过300万元。
（2）对购买IP开展14纳米及以下制程高端芯片研发的企业，通过专家评审后，按照IP购买实际支付费用的30%给予资助，单一企业年度资助金额不超过500万元。
（3）支持企业开展AEC-Q系列可靠性标准认证、ISO 26262功能安全管理体系认证、AQG 324车规级半导体模块认证、ISO/TS 16949体系认证等车规级认证，对取得相关认证资质的企业，通过专家评审后，按照认证实际发生费用的50%给予资助，单一企业年度资助金额不超过100万元。
以上项目采取事后一次性资助方式。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
（3）实际支出费用计算时间为2025年1月1日以后，以发票日期为准。
5.申报材料
（1）资金申请报告。
（2）对于申请IP购买资助的，还需提供IP所应用芯片产品详细项目报告，说明IP在该芯片中的应用价值、应用方式及该芯片产品的技术先进性；IP购置明细、采购合同、财务凭证、发票等相关材料。
（3）对于申请有关资质认证资助的，还需提供公司/产品取得相关认证资质的证明材料；开展认证的合同、发票等相关材料。
（二）核心设备及配套零部件突破
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第四条。
2.扶持方向
支持开展刻蚀、薄膜沉积、量测检测等核心设备及配套零部件技术研发。
3.扶持方式及资助金额
（1）对于我市集成电路产线、中试线、实验线为国产设备提供验证服务的，通过专家评审后，按照验证服务费用的30%给予产线、中试线、实验线所属单位资助，最高不超过200万元。若集成电路产线、中试线、实验线为同一研制单位的同一型号设备提供多次验证服务的，仅对其首次验证服务给予资助。
（2）对于核心设备及零部件首次投入产线使用的设备研制单位，通过专家评审后，按经评审核定的产品研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予研制单位资助，单一型号设备及零部件最高不超过1000万元，同一研制单位最高不超过3000万元。
以上项目采取事后一次性资助方式。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
（3）为国产设备提供验证服务的集成电路产线、中试线、实验线，验证服务费用的收取日期需在2025年1月1日及以后，具体以银行收款日期为准；核心设备及零部件首次投入产线使用的日期需在2025年1月1日及以后。
5.申报材料
（1）资金申请报告。
（2）对于为国产设备提供验证服务的集成电路产线、中试线、实验线所属单位，还需提供已验证的产品名称（型号）、国产设备研制单位、功能、主要技术指标等信息；验证服务合同、银行收款凭证等相关材料；用于证明验证服务内容、过程和结果的验证报告；国产设备的相关证明材料，如设备的技术说明书、知识产权证明等。
（3）对于研制核心设备及零部件并首次投入产线使用的单位，需提供核心设备及零部件的知识产权证明等；半导体与集成电路制造企业出具的设备及零部件首次投入产线使用的证明材料，包括使用时间、使用情况、使用效果等。
（三）关键制造封装材料突破
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第五条。
2.扶持方向
支持开展14纳米及以下先进制程光刻胶、研磨液、掩膜版等制造材料，临时键合胶、聚酰亚胺、底部填充胶、封装基板等先进封装材料的技术研发。
3.扶持方式及资助金额
对于我市集成电路产线、中试线、实验线为国产关键制造及封装材料提供验证服务的，按照验证服务费用的30%给予产线、中试线、实验线所属单位资助，最高不超过100万元。若集成电路产线、中试线、实验线为同一研制单位的同一型号材料提供多次验证服务的，仅对其首次验证服务给予资助。
该项目采取事后一次性资助方式。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
（3）为国产关键制造及封装材料提供验证服务的，验证服务费用的收取日期需在2025年1月1日及以后，具体以银行收款日期为准。
5.申报材料
（1）资金申请报告。
（2）已验证的材料名称、型号规格、研制单位、主要技术指标、验证情况等信息；验证服务合同、银行收款凭证等相关材料；用于证明验证服务内容、过程和结果的验证报告；国产关键制造及封装材料相关证明材料，如材料的技术说明书、知识产权证明等。
（四）高端封装测试水平提升
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第六条。
2.扶持方向
支持凸块（Bump）、倒装（Flip Chip）、晶圆级封装（WLP）、重布线（RDL）、芯粒（Chiplet）、硅通孔（TSV）、玻璃通孔（TGV）、2.5D封装、3D封装、混合键合、背面供电、扇出面板级封装（FOPLP）、光电共封装（CPO）等一系列先进封装技术及配套关键材料的研发和产业化。
3.扶持方式及资助金额
对于申报先进封装技术研发和产业化的项目，专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查后，市发展改革委予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，按经审计核定的项目实际研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予资助，单个项目不超过1000万元。该项目采取事后一次性资助方式。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
5.申报材料
资金申请报告。
（五）化合物半导体技术水平提升
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第七条。
2.扶持方向
支持化合物半导体芯片、器件、装备及材料的推广应用。
3.扶持方式及资助金额
对销售自研化合物半导体芯片、器件、装备及材料且相关产品年营业收入首次超过1亿元的企业，通过专家评审后，按照企业当年研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予资助，单个企业最高不超过1000万元。该项目采取事后一次性资助方式。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
（3）相关自研产品年营业收入首次超过1亿元的统计年份为2024年。
5.申报材料
（1）资金申请报告。
（2）由第三方会计师事务所出具的相关自研产品营收年度财务审计报告。
（3）自研产品销售明细清单及关键销售合同与凭证。
（4）自研产品的知识产权证明。
（六）尖端前沿技术突破
1.政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第九条。
2.扶持方向
支持自主研发，突破关键环节“卡脖子”技术或前沿变革性颠覆性技术。
3.扶持方式及资助金额
专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查的项目，市发展改革委予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后：
（1）对突破关键环节“卡脖子”技术或前沿变革性颠覆性技术的集成电路领域攻关项目，按照项目研发投入（仅包括用于研发的设备、材料、人力资源投入）的30%给予资助，单个项目最高不超过3000万元。该项目采取事后一次性资助方式。
（2）对于集成电路制造、封测、装备、材料等领域自主研发取得突破、带动产业优势资源集聚的重大项目，按照项目固定资产投资给予项目单位一定比例的资助，单个项目最高不超过设定金额。该项目采取分阶段资助方式。
4.申报要求
（1）须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
（2）项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
5.申报材料
资金申请报告。

三、创新能力建设扶持计划

（一）政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第八条。
（二）扶持方向
支持建设半导体与集成电路领域产业创新中心、IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台等产业支撑平台。
（三）扶持方式及资助金额
1.对于成功申报国家产业创新中心的，给予不超过1:1的资金配套，本市配套资金和国家资助资金合计不超过项目总投资的50%，国家专项计划另有规定的，从其规定。项目资助金额按照国家资金拨付进度分阶段拨付。
2.对于建设符合我市产业布局的IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台等产业支撑平台的项目，专家评审综合评分60分以上的进入现场核查阶段，通过专家评审、现场核查后，市发展改革委予以批复立项。项目单位须先自行投入资金组织实施项目，待项目通过验收后，按经审计核定的平台实际建设投资（不含土建工程部分）的20%给予资助，单个平台累计不超过3000万元。该项目采取事后一次性资助方式。
（四）申报要求
1.须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
2.项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
3.项目单位须具有相应的基础条件，已有技术服务团队总人数不少于50人，其中专职研发或技术服务人员不少于45人，相关研发、检测及技术服务设备原值不少于3亿元，相关技术服务场地面积不少于3000平方米，能为产业关键技术和设备的研究、开发、成果转化等提供支撑和保障。
4.对于申报国家产业创新中心资金配套的，需获得国家发展改革委批复同意立项，且国家产业创新中心的建设期截止日期不早于2025年9月30日。
（五）申报材料
1.资金申请报告。
2.对于申报国家产业创新中心资金配套的项目，需提供国家发展改革委的批复文件。
3.对于建设IC设计流片平台、检测认证中心、中试验证平台的项目，需提供对外开放并用于公共服务的相关证明材料。

四、国家项目配套扶持计划

（一）政策依据
《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》（深发改规〔2025〕9号）第十条。
（二）扶持方向
支持有关单位承担国家发展改革委开展的半导体与集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划。
（三）扶持方式及资助金额
对于承担国家发展改革委开展的集成电路领域重大项目、重大技术攻关计划和重点研发计划的单位，给予不超过1:1的资金配套，本市配套资金和国家资助资金合计不超过项目总投资的50%，国家专项计划另有规定的，从其规定。项目资助金额按照国家资金拨付进度分阶段拨付。
（四）申报要求
1.须满足申报通知明确的申报基本条件，详见申报通知。
2.项目单位应拥有专业化的技术及管理团队，财务制度健全，具有较高水平的研发成果和技术储备，经营管理状况良好。
3.申报项目已获得国家发展改革委批复同意立项，且项目的建设期截止日期不早于2025年9月30日。
（五）申报材料
1.资金申请报告。
2.国家发展改革委的批复文件。